A Micron Technology anunciou uma nova inovação em memória, com a demonstração do primeiro módulo DDR5 de 512GB do mundo. O componente, voltado para servidores, atinge velocidades de até 9.200 MT/s e utilizará o empilhamento vertical de chips de DRAM conectados por vias de silício. A empresa afirma que a tecnologia reduz o consumo energético em mais de 60% em comparação a módulos menores, com uma única unidade de 512GB consumindo 16W, contra 44,2W de quatro módulos de 128GB.
Segundo a Micron, a capacidade de 512GB em um único módulo permitirá servidores com até 12TB de memória DDR5, sem aumentar o número de slots. A empresa também destacou melhorias de desempenho em tarefas como análises de dados (Spark SVM), com ganho de até 1,4x em relação a configurações com 256GB. A validação por AMD e Intel está em andamento, e o módulo será produzido a partir de 2027.
A Micron já produz módulos de 256GB DDR5, mas o novo modelo amplia as possibilidades para aplicações em IA, bancos de dados e simulações. O anúncio reforça a liderança da empresa no setor de memórias para servidores, oferecendo eficiência para data centers e nuvem.
Fonte: Videocardz
