Elon Musk afirmou recentemente que, embora a China tenha a capacidade de escalar produção em larga escala após ajustar equipamentos, o país pode enfrentar dificuldades ao lidar com tecnologias avançadas de chips de memória, como o 3D stacking e arquiteturas de memória em lógica. As declarações, feitas no X, fazem parte de uma série de comentários que Musk tem feito sobre a capacidade de fabricação de chips da China e seu conhecimento sobre a produção de semicondutores, enquanto lidera o projeto Terafab para atender às necessidades de seus negócios.
China anuncia avanços em chips de memória DDR5
Na semana passada, a CXMT, empresa chinesa, anunciou em Shanghai que está no caminho certo para lançar chips de memória DDR5 baseados em bonding híbrido e 4F² até o final deste ano. O anúncio chamou atenção, pois a Samsung, um dos maiores fabricantes de chips de memória do mundo, só espera entregar os produtos em 2028. O 4F² representa uma atualização significativa no setor, pois empilha os componentes de uma célula de memória verticalmente, em vez de horizontalmente, economizando espaço e aumentando o desempenho.
Spaçex é a única exceção na capacidade de produção em massa
Musk destacou que, ao usar baterias de lítio e produtos solares como exemplo, a China demonstra uma capacidade de escala que supera o resto do mundo combinado. No entanto, ele acredita que a única exceção nesse cenário é a SpaceX, que tem conseguido superar a China consistentemente em termos de toneladas de carga enviadas ao espaço. A maioria dos lançamentos de foguetes da SpaceX é para a constelação Starlink, que colocou dezenas de milhares de satélites de internet em órbita para conectar o mundo.
Desafios com tecnologias emergentes de memória
Quando o assunto é chips de memória, Musk permanece otimista, sugerindo que a produção de RAMs pode ser outra exceção. No entanto, ele ressalta que chips LPDDR5 e LPDDR6, que seguem padrões unificados, parecem ser soluções que a China resolve rapidamente. Já tecnologias emergentes, como arquiteturas HBM e 3D stacking, podem ser mais difíceis de implementar, segundo o executivo.
Avanços chineses em 3D DRAM
Recentemente, a empresa chinesa Naura, especializada em tecnologia de fabricação de chips, obteve uma quebra de paradigma no setor de 3D DRAM. Utilizando uma pilha de 64 camadas com camadas de silício (Si) e silício-germânio (SiGe), a empresa demonstrou que pode melhorar métricas como a seletividade de etching e a taxa de perda por meio de um processo em duas etapas.
Fonte: WccFtech
